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簡(jiǎn)單介紹
CMP是IC芯片制造中的一種硅片表面平坦化工藝。通過(guò)研磨墊和研磨劑的化學(xué)、機(jī)械共同作用,消除硅片表面的微觀凹凸,達(dá)到平坦化,cmp裝置 ic平坦裝置。
產(chǎn)品描述
CMP是IC芯片制造中的一種硅片表面平坦化工藝。通過(guò)研磨墊和研磨劑的化學(xué)、機(jī)械共同作用,消除硅片表面的微觀凹凸,達(dá)到平坦化,cmp裝置 ic平坦裝置。
CMP是IC芯片制造中的一種硅片表面平坦化工藝。通過(guò)研磨墊和研磨劑的化學(xué)、機(jī)械共同作用,消除硅片表面的微觀凹凸,達(dá)到平坦化。
ChaMP: 300mm機(jī)型
ACCRETECH(東京精密)結(jié)合了自身**的精密測(cè)量技術(shù)及半導(dǎo)體設(shè)備制造技術(shù),針對(duì)300mm 硅片的65nm及以下器件的工藝要求推出了CMP量產(chǎn)設(shè)備(ChaMP系列)。
特點(diǎn)1
氣浮式磨頭“Sylphide”
通過(guò)懸浮氣膜實(shí)現(xiàn)下壓力的均勻分布,達(dá)到均勻研磨的目的
通過(guò)獨(dú)立于懸浮氣膜之外的氣囊實(shí)施下壓力的設(shè)計(jì)特點(diǎn)使得本設(shè)備在低下壓力條件下的工藝控制性、穩(wěn)定性特別突出
可實(shí)現(xiàn)下壓力分區(qū)控制 (選項(xiàng)功能)
特點(diǎn)2
Edge Exclusion1mm條件下仍保持良好的均一性
特點(diǎn)3
穩(wěn)定、準(zhǔn)確的壓力控制
特點(diǎn)4
簡(jiǎn)易的研磨頭保養(yǎng)、更換
取下:大約5秒
(雙手將扣環(huán)蓋向上推)
用拇指掰開(kāi)扣環(huán)使Retainer脫落
取下Retainer
安裝:大約十秒
1.雙手握住扣環(huán)慢慢將Retainer推入,輕輕回轉(zhuǎn)Retainer至定位銷入位
2.滑下扣環(huán)蓋使扣環(huán)整體固定
ChaMP:200mm/150mm機(jī)型
用于150/200mm wafer
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