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	RDT硬盤老化烘箱	RDT硬盤老化烘箱，芯片烘箱是指封裝環(huán)氧的固化，一般環(huán)氧固化條件在135℃，1小時。模壓封裝一般在150℃，4分鐘。后固化是為了讓環(huán)氧充分固化，同時對LED進行熱老化。

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