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產(chǎn)品資料

多晶硅過程氣體分析

多晶硅過程氣體分析
  • 如果您對該產(chǎn)品感興趣的話,可以
  • 產(chǎn)品名稱:多晶硅過程氣體分析
  • 產(chǎn)品型號:SXM-2100型
  • 產(chǎn)品展商:英國密希爾
  • 產(chǎn)品文檔:無相關(guān)文檔
簡單介紹
多晶硅過程氣體分析SXM-2100系統(tǒng)可連續(xù)監(jiān)測工業(yè)硅提純的三氯氫硅氫還原工藝中氫氣的微氧含量和微水含量以及在尾氣管道保護氣氮氣的氧含量和微水含量,從而保證*后提煉超純硅的品質(zhì)。
產(chǎn)品描述

多晶硅過程氣體分析系統(tǒng)SXM-2100

SXM-2100系統(tǒng)可連續(xù)監(jiān)測工業(yè)硅提純的三氯氫硅氫還原工藝中氫氣的微氧含量和微水含量以及在尾氣管道保護氣氮氣的氧含量和微水含量,從而保證*后提煉超純硅的品質(zhì)。

  

 多晶硅過程氣體分析系統(tǒng)特點:

l    取樣系統(tǒng)為可插拔式探頭,方便更換濾芯

l    過濾器可過粉塵和硅粉,過濾精度為0.3μ

l    大屏幕現(xiàn)場就地顯示

l    系統(tǒng)留有分析儀標定口,無須拆卸分析儀

l    采用進口陶瓷阻抗式露點分析儀

 

技術(shù)參數(shù):

l 系統(tǒng)部件:316L不銹鋼

l 模擬:4-20ma輸出

l 響應(yīng)時間:T90<20S

l 防護等級:IP65

l 電源:24VDC

l 防爆標準:符合EEx ia IIC T4

l 工作溫度:-20oC to 60oC

 

l 微水分析儀:

       測量范圍:-100 to +20oC

           精度:+20~-60°C露點范圍內(nèi)為±1 °C

                 -60~-100°C露點范圍內(nèi)為±2 °C

         工作壓力: 真空~40 MPa

         計量單位:PPM(w),

         防爆標準:非現(xiàn)場顯示型符合EEx ia IIC T4

                   現(xiàn)場顯示型符合Exd[ia] IIC T6

l 氧含量分析儀:

         測量范圍:0/10/100PPM  1/10/25%

             精度:<1%FS  

         計量單位:PPM(w),%

         大氣壓力影響:大氣壓力影響:每變化1毫米汞柱讀數(shù)變化±0.13%

         防爆標準: NEC/CEC Class ,,,Division 1
                    GroupsA,B,C,D,E,F,G;
                    CENELEC Eex ia
c T4(60)BASEEFA Ceet.Nos.
                    Ex96D2442 and Ex 96D2444

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