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PH770DBR
770nm系列
高功率、單頻輸出激光二極管
核心技術：
（1）DBR單頻激光芯片；（2）AlGaAs 量子阱有源層。
產(chǎn)品特點：
（1）高功率，單頻輸出；（2）激光線寬小于1MHz；（3）多種封裝形式；（4）無跳模調諧范圍寬；（5）使用壽命長；（6）可提供納秒或皮秒脈沖輸出。（7）調制頻率可達6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。
PH770DBR系列高功率激光二極管是基于Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成。它可以提供衍射極限且單縱模輸出的激光光束，主要應用于K原子精密譜線研究等領域。DBR激光二極管將光柵放置于激光有源層的一端，可有效避免二極管工作時電流對光柵造成的沖擊，能夠充分保證激光二極管的使用壽命和穩(wěn)定性。另外，DBR激光二極管采用單步分子束外延生長而成，使生產(chǎn)成本更加低廉，并且保證了低內部損耗和高輸出功率。
技術參數(shù)：
儲存溫度
0-80℃
工作溫度
5-70℃
正向電流（連續(xù)模式輸出）
70-150mA
正向電流（脈沖模式輸出），T=25℃
脈沖寬度：300ns
0.3A
激光反向電壓
0.0V
光電二極管正向電流 1/2/
5.0mA
光電二極管反向電壓 1/2/
20.0V
光電二極管暗電流，VR=10V，1/2/
50nA
TEC電流 1/2/
-1.8—1.8A
TEC電壓 1/2/
-1.9—1.9V
熱敏電阻電流 1/2/
1.0mA
熱敏電阻電壓 1/2/
10V
連續(xù)模式輸出技術參數(shù)（T=25℃）
中心波長
770nm(Typ.)
輸出功率
40、80mW
斜率效率（蝶形封裝）
0.36W/A
斜率效率（TO-8封裝）
0.75W/A
閾值電流
50mA
激光二極管電阻值
2.0Ω
正向電壓
2.0V
熱敏電阻阻值@25℃，1/2/
10KΩ
激光線寬
0.7MHz
溫度調諧系數(shù)
30GHz/℃
電流調諧系數(shù)
1.3GHz/mA
偏振消光比，1/
-19dB
光束發(fā)散角@FWHM
6x26°
邊模抑制比
-30dB（Min）
激光偏振
TE
模式結構
基模
1/蝶形封裝 2/TO-8封裝
注意事項：
此激光二極管是靜電敏感器件，操作時請注意接地保護和佩戴靜電手環(huán)。存儲時請將各管腳短接在一起并放入防靜電的容器內。
多種封裝??式供選擇
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