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產(chǎn)品資料

模擬電路多參數(shù)篩選測(cè)試儀GT2200A[產(chǎn)品打印頁面]

模擬電路多參數(shù)篩選測(cè)試儀GT2200A
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  • 產(chǎn)品名稱:模擬電路多參數(shù)篩選測(cè)試儀GT2200A
  • 產(chǎn)品型號(hào):模擬電路多參數(shù)篩選測(cè)試儀 GT2200A
  • 產(chǎn)品展商:其它品牌
  • 產(chǎn)品文檔:無相關(guān)文檔
簡(jiǎn)單介紹
模擬電路多參數(shù)篩選測(cè)試儀GT2200AGT2200A測(cè)試儀集功能測(cè)試、參數(shù)測(cè)試于一體,專門用于各種單運(yùn)放、多運(yùn)放和電壓比較器的測(cè)量 功能測(cè)試、測(cè)量數(shù)據(jù)、管腳選擇、數(shù)據(jù)比較等均由CPU完成不需過多的人工干預(yù)。只需簡(jiǎn)單且較少的按鍵操作就能讓您得到您所關(guān)心的芯片參數(shù),或優(yōu)劣程度。免去使用各種接線盒來適配各種不同的運(yùn)放/比較器的煩惱測(cè)試操作簡(jiǎn)單,功能齊全可按需要選取測(cè)量參測(cè)量結(jié)果不受人為因素影響。
產(chǎn)品描述
模擬電路多參數(shù)篩選測(cè)試儀GT2200A

模擬電路多參數(shù)篩選測(cè)試儀 GT2200A 
 
模擬電路多參數(shù)篩選測(cè)試儀GT2200A

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價(jià)格:¥21800.00

模擬電路多參數(shù)篩選測(cè)試儀GT2200A
 
 詳細(xì)資料
 

簡(jiǎn)介:

  GT2200A測(cè)試儀集功能測(cè)試、參數(shù)測(cè)試于一體,專門用于各種單運(yùn)放、多運(yùn)放和電壓比較器的測(cè)量 。
  功能測(cè)試、測(cè)量數(shù)據(jù)、管腳選擇、數(shù)據(jù)比較等均由CPU完成,不需過多的人工干預(yù)。只需簡(jiǎn)單且較少的按鍵操作就能讓您得到您所關(guān)心的芯片參數(shù),或優(yōu)劣程度。免去使用各種接線盒來適配各種不同的運(yùn)放/比較器的煩惱。測(cè)試操作簡(jiǎn)單,功能齊全,可按需要選取測(cè)量參數(shù),測(cè)量結(jié)果不受人為因素影響。

產(chǎn)品特點(diǎn):

1.根據(jù)IC型號(hào)自動(dòng)切換測(cè)試,無需人工轉(zhuǎn)接線更換測(cè)試盒。
2.具有自校準(zhǔn)功能,測(cè)試參數(shù)基準(zhǔn)穩(wěn)定。
3.測(cè)試參數(shù)值讀取快潔、直觀。
4.測(cè)試操作簡(jiǎn)單。
5.它可以對(duì)線性IC的11項(xiàng)交直流參數(shù)進(jìn)行測(cè)試及功能測(cè)試。
6.提供自適應(yīng)測(cè)試方式:以樣片為基準(zhǔn),對(duì)同型號(hào)IC 進(jìn)行篩選測(cè)試進(jìn)行快速篩選。

GT2200A基本使用方法:

  先取一個(gè)“有代表”性(滿足使用要求)的芯片進(jìn)行“學(xué)習(xí)”,即將該芯片的各種應(yīng)測(cè)數(shù)據(jù)保存起來。再對(duì)其他芯片進(jìn)行有選擇性的“比較”測(cè)試,即對(duì)您所關(guān)心的數(shù)據(jù)進(jìn)行自動(dòng)測(cè)量,并與“學(xué)習(xí)”數(shù)據(jù)進(jìn)行比較,顯示出優(yōu)劣結(jié)果。操作十分簡(jiǎn)單,容易掌握;尤其是大批量篩選更為簡(jiǎn)單,優(yōu)于樣板的就通過,不必一一讀取測(cè)量結(jié)果,并逐一查看其是否符合要求。若想看測(cè)量結(jié)果,也可用按鍵逐一翻看。
應(yīng)該說它即可滿足生產(chǎn)篩選的需要,也可滿足科研開發(fā)使用。

GT2200A 測(cè)試參數(shù):

測(cè)試參數(shù)符號(hào)單位誤差
失調(diào)電壓ViomV<5%
失調(diào)電流IionA<5%
偏置電流IibnA<5%
靜態(tài)功耗PdmW<5%
開環(huán)增益Avddb<5%
共模抑制比Kcmrdb<5%
輸入電阻Rid<10%
輸出電阻RosΩ<10%
增益帶寬積GbwKH<5%
電源電壓抑制比Ksvrdb<5%
輸出電壓峰-峰值VoppV<5%


測(cè)試內(nèi)容說明:

· 靜態(tài)工耗 是在測(cè)試電壓為± 8V下測(cè)得(個(gè)別特殊比較器在+12V/-6V下測(cè)得)。
·對(duì)于自適應(yīng)測(cè)試,比較誤差小于5%
· 失調(diào)電壓 測(cè)量范圍:100uV─100mV,
Vos 超過 100mV 時(shí), 認(rèn)為功能失效;
|Vos| 在2mV─100mV之間,相對(duì)誤差<3%;
|Vos| 在0.1─2mV之間,相對(duì)誤差<6%失調(diào)電流。
· 偏置電流 測(cè)量范圍: Ios,Ib >10nA時(shí) 相對(duì)誤差<3%; 
                       Ios,Ib<10nA相對(duì)誤差<8%; 
                       Ios;Ib<0.5nA,相對(duì)誤差較大。
· 靜態(tài)功耗 測(cè)量范圍:0.3─180mW、Pd>10mW,相對(duì)誤差 <3%
· 輸出電阻 測(cè)量范圍:25─2.5k,分辨率為5Ω
· 輸入電阻 測(cè)量范圍:20KΩ─15MΩ,分辨率KΩ
·輸入電阻高于15M的芯片不測(cè)此項(xiàng)參數(shù),若“錯(cuò)敲”鍵入型號(hào),如測(cè)LF347而鍵入“342”(LM324), 所測(cè)的輸入電阻是不真實(shí)的。
· 壓擺率 為擴(kuò)充測(cè)試項(xiàng)。

額定工作條件及規(guī)格:

整 機(jī) 功 耗: 35W
電 源: 220V/AC 50HZ
使用環(huán)境溫度:5─35
相 對(duì) 濕 度: 45%RH
重 量: 5.5kg
外界電磁干擾: 避免

 
 
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模擬電路多參數(shù)篩選測(cè)試儀GT2200A
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