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EasyTube™ 3000 SiQC -專為多晶硅行業(yè)原料質(zhì)量監(jiān)控設(shè)計(jì)的化學(xué)氣相沉積設(shè)備
原理是利用生產(chǎn)多晶硅的原料，用CVD的方式在一個(gè)單晶硅片上形成一層超高純度的單晶硅膜(外延)，之后用FTIR等的儀器來檢測單晶硅薄膜的質(zhì)量，測量**度達(dá)到PPT水平并非其它方法可比
優(yōu)點(diǎn):
使用水冷卻高純石英工藝腔室，保證石英管工藝時(shí)處于低溫。當(dāng)機(jī)器長時(shí)間運(yùn)行時(shí)，可*大程度減少在石英工藝腔壁上的沉積，保證工藝穩(wěn)定, 并且避免頻繁清洗石英工藝管
控制軟件使用方便，可設(shè)定工藝參數(shù)（recipe）進(jìn)行全自動(dòng)運(yùn)行, 并有自動(dòng)記錄工藝參數(shù), 方便日后翻查
多種原料供應(yīng)方式可供選擇以滿足不同需要:
連續(xù)氯硅烷方式（TCS, DCS, SiCl4）
連續(xù)硅烷方式 (SiH4)
小鋼瓶方式 (Bubbler)
RF感應(yīng)加熱方式, 工藝溫度由700 至1500°C
完整的真空系統(tǒng)，壓力< 20 millitorr
LoadLock腔室能避免在放入及取出測試硅片對(duì)石英工藝腔室?guī)淼奈廴?span id="vnuct0l" class="Apple-converted-space">
雜質(zhì)測量精度
Boron (B) < 40 ppta
Aluminum (Al) < 30 ppta
Phosphorus (P) < 10 ppta
Arsenic (As) < 10 ppta
CVD同時(shí)提供特氣柜和廢氣(尾氣)處理系統(tǒng)的一站式方案
EasyGas™ 特氣柜 –供應(yīng)超高純氫氣
EasyPanel™特氣柜 - 供應(yīng)超高純氬氣
EasyExhaust™ 尾氣處理系統(tǒng) - 用熱裂解和濕式洗滌的方式處理尾氣
符合SEMI – S2/S8 and CE **標(biāo)準(zhǔn)
欲知詳情，請(qǐng)登錄:
http://www.products.cvdequipment.com/products/silicon-precursor-quality-control/
http://www.products.cvdequipment.com/products/silicon-precursor-quality-control/docs/easytube_SIQC.pdf
常見問題:
問: 這個(gè)設(shè)備適用於三氯氫硅(TCS) ,二氯二氫硅 (DCS), 硅烷(SiH4) and 四氯化硅(SiCl4) 嗎？
答: 是的，這個(gè)設(shè)備可以應(yīng)用於所有的硅化合物。
問: 這臺(tái)設(shè)備是生長單晶硅外延，我們?nèi)绾潍@得雜質(zhì)的數(shù)據(jù)?
答: 設(shè)備已經(jīng)獲得世界多晶硅行業(yè)多家龍頭企業(yè)使用, 証明本設(shè)備是一個(gè)有效快速的品質(zhì)檢定手段。
我們可以讓第三方實(shí)驗(yàn)室測試樣本, 例如用液氦低溫傅立葉變換光致發(fā)光光譜(FTPL)來測試砷, 鋁, 硼, 磷. 請(qǐng)看下面兩組資料.我們可提供的摻雜數(shù)量的資料在先前的介紹中已提到,它們是: B <30 ppta Al <20 ppta P <12 ppta As <8 ppta
典型測試雜質(zhì)的方法是二次離子質(zhì)譜(SIMS), 傅立葉轉(zhuǎn)換紅外線光譜分析(FTIR) 和傅立葉變換光致發(fā)光光譜(FTPL)。
問: 我們的外延硅層和單晶硅基底之間會(huì)相互擴(kuò)散嗎？我們非常擔(dān)心外延硅層的雜質(zhì)會(huì)擴(kuò)散到單晶硅基底。那樣的話測出的雜質(zhì)水準(zhǔn)會(huì)不準(zhǔn)確。
答: 如果使用普通的硅片的話可能會(huì)出現(xiàn)這種情況, 這就是我們使用浮區(qū)高電阻率硅晶片作為基底的原因。晶片中的雜質(zhì)水平已經(jīng)足夠低的情況下，浮區(qū)硅片不會(huì)出現(xiàn)擴(kuò)散問題。
問: 我們的基底規(guī)格是多少？對(duì)我們正在使用的晶圓基底有什麼特殊要求或者規(guī)範(fàn)嗎?
答: 基底規(guī)格是 0.5" x 0.5"浮區(qū)高電阻硅片。
問: 設(shè)備使用的氣體要求?
答: 氫: 流量*大值20 SLPM, 壓力> 15 PSI, 純度越高越好 - 如果供應(yīng)源純度不夠的話可能需要添加一臺(tái)淨(jìng)化器
鋼瓶清洗管道: TCS 鋼瓶的氫*大25 SCCM, 壓力> 15 PSI, 純度越高越好 - 如果供應(yīng)源純度不夠的話可能需要添加一臺(tái)淨(jìng)化器。一個(gè)300毫升的容器可以運(yùn)行3次，而之後雜質(zhì)將會(huì)增加，得到的資料的準(zhǔn)確度會(huì)降低。
氬清洗管道：*大10 SLPM, 壓力> 15 PSI, 純度越高越好 - 如果供應(yīng)源純度不夠的話可能需要添加一臺(tái)淨(jìng)化器。
硅烷: *大25SCCM, 壓力> 15 PSI, 純度 - 這是我們要測量的
問: 我們兩個(gè)小時(shí)之內(nèi)在浮區(qū)高電阻硅晶圓基板上形成了單晶硅外延層。這個(gè)外延層有多厚？我們可以通過增加反應(yīng)時(shí)間得到更厚的膜嗎？如果可以，這臺(tái)設(shè)備能夠形成多厚的膜?
答: 沉積兩個(gè)小時(shí)的話，我們可以得到超過100微米的外延層, 它足夠用來做測量。延長反應(yīng)時(shí)間的話就可以得到更厚的膜。一般的沉積速率是 2 um/分鐘.
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