獨(dú)特設(shè)計(jì), 片電阻不受針尖距離影響 
多種型號(hào)以供選擇: 
自動(dòng)上下片(Cassette to cassette, C2C) 
室溫至100°C 的測量(更高可選)
可添加并整合于多腔式的集束型架構(gòu)設(shè)備(cluster tool) 
亦可在連續(xù)式設(shè)備內(nèi)加入四探針片電阻及光學(xué)膜厚測量, 適合薄膜太陽能(銅銦鎵硒, CIGS)及平板顯示行業(yè) 
基材尺寸: 
450mm晶圓 (樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn))
370 x 470mm 長方形基底 (XY樣品臺(tái))
連續(xù)式設(shè)備可以度身訂做, 沒有尺寸限制 
片電阻測量適合金屬薄膜、銅銦鎵硒、非晶硅(硅)、碲化鎘、鉬、透明導(dǎo)電薄膜(AlZnO2)、摻雜之后的硅(硅)、硅鍺及鍺 
0.1 – 100,000 單位面積奧姆值 (更高可選) 
短時(shí)間重復(fù)性: 0.1% (21次連續(xù)測量同一點(diǎn), 一個(gè)公差值) 
長時(shí)間重復(fù)性.0.2% (每天21次連續(xù)測量同一點(diǎn), 連續(xù)5 天, 一個(gè)公差值)

可**地整合于連續(xù)式(INLINE)的生產(chǎn)線內(nèi), 而收集的測量數(shù)據(jù)可自動(dòng)送到SCADA系統(tǒng)
光學(xué)膜厚測量功能可選 
測量光斑<1mm
波長: 380-1050nm
可測量膜厚: 15-50nm, *多可達(dá)250nm
短時(shí)間重復(fù)性: ~0.1nm 
長時(shí)間重復(fù)性:: ~0.1nm 
準(zhǔn)確度: 0.4% or 0.1nm