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產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
BeneQ TFS 200 原子層沉積薄膜系統(tǒng)是適合科學研究和企業(yè)研發(fā)的*靈活的ALD平臺。設(shè)備的每個細節(jié)都充分考慮了多功能，模塊化和易用性。對倍耐克來說，讓用戶能夠自由地開發(fā)工藝和各種應(yīng)用而不是被設(shè)備所限制是非常重要的。TFS 200代表了*先進的設(shè)計理念和薄膜沉積解決方案，它可以實現(xiàn)在各種不同尺寸和不同基底材料上的高質(zhì)量的薄膜制備。
詳情介紹：
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TFS 200 是適合科學研究和企業(yè)研發(fā)的*靈活的ALD平臺。設(shè)備的每個細節(jié)都充分考慮了多功能，模塊化和易用性。對倍耐克來說，讓用戶能夠自由地開發(fā)工藝和各種應(yīng)用而不是被設(shè)備所限制是非常重要的。TFS 200代表了*先進的設(shè)計理念和薄膜沉積解決方案，它可以實現(xiàn)在各種不同尺寸和不同基底材料上的高質(zhì)量的薄膜制備。
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TFS 200的襯底材料可以是硅片或其他平面基底材料，也可以是多孔材料，或是具有較高深寬比的復(fù)雜的三維物體。客戶可以根據(jù)基底材料的不同選擇三種標準的反應(yīng)腔體，也可以按照客戶的需要定制腔體。手動傳送臂選項可以提高硅片的處理能力。作為標準可選項，我們也可提供直接和遠程等離子增強型配置（PEALD）。TFS 200ALD可提供多種前驅(qū)體管路系統(tǒng)，*多可配置8個氣態(tài)源管路，4個液態(tài)源管路和4個加熱源管路；從而可以滿足*苛刻的科研要求。 熱源包含*高加熱源可達
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特點/性能
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•循環(huán)周期小于2秒。在特定的條件下可以小于1秒(對 200mm晶圓，以Al2O3 為例，薄膜厚度均勻性小于±1%)
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•高深寬比(HAR)選項適用于較深溝槽和多孔的基底材料。
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•多種熱源選擇，作為標準選項熱源可以加熱到 500°C。
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作為標準選項的直接和遠程電容性耦合等離子體 (CCP)增強功能。
高速數(shù)據(jù)記錄采集和人機交互界面
多功能和模塊化
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在科研工作中，技術(shù)的可靠性和重復(fù)性是必不可少的。同時試驗設(shè)備配置和試驗工藝調(diào)整的靈活性也是十分重要的。因此我們設(shè)計了可靠的TFS200科研設(shè)備，使其能夠通過快速便捷地調(diào)整即可滿足不同的基底材料和工藝試驗要求。
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•可以快速加熱和冷卻的冷壁真空腔
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•安裝在真空腔的輔助接口可以實現(xiàn)等離子體和原位檢測。
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•熱壁反應(yīng)腔可以使基底溫度均勻分布，同時避免了前驅(qū)物的凝結(jié)和二次反應(yīng)。
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•三種不同的反應(yīng)腔，而且可以根據(jù)客戶的需要定制
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•基底旋轉(zhuǎn)選項
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•手動傳送臂可以快速更換基底材料，而且可以和其他設(shè)備配合使用。
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倍耐克公司生產(chǎn)的設(shè)備兼顧了操作的簡單和使用者的**，不論他是科研人員，操作者還是維護人員。TFS 200所有的功能都是由PLC和額外的EN**繼電器來控制的。HMI人機界面和數(shù)據(jù)采集安裝在PC上。 TFS 200滿足CE,UL和CSA的要求。|
TFS 200適合于沉積各種常用材料如: 氧化物，氮化物，碳化物，金屬，硫化物，氟化物，生物材料，聚合物，摻雜，納米涂層和復(fù)合結(jié)構(gòu)
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TFS 200裝有分子泵選項的傳送臂工作中的等離子體
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TFS 200裝有基底材料的傳送臂
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BeneQ TFS 200 原子層沉積薄膜系統(tǒng)
BeneQ TFS 200 原子層沉積薄膜系統(tǒng)
BeneQ TFS 200 原子層沉積薄膜系統(tǒng)
BeneQ TFS 200 原子層沉積薄膜系統(tǒng)
BeneQ TFS 200 原子層沉積薄膜系統(tǒng)