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微波低噪聲晶體管
日期：2025-01-11 05:16
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摘要：微波低噪聲晶體管
微波低噪聲晶體管
主要用于微波通信、衛(wèi)星通信、雷達、電子對抗、遙測和遙控系統(tǒng)中的接收機前置放大器。微波晶體管的噪聲越低，接收器的靈敏度越高，這些系統(tǒng)的范圍就越大。
雙極晶體管的噪聲源有：熱噪聲、散粒噪聲、分布噪聲和1/噪聲（也稱為閃爍噪聲）。場效應晶體管是多數(shù)載流子器件，所以沒有少數(shù)載流子引起的散粒噪聲和分布噪聲，但有肖特基柵極感應噪聲。
為了降低微波低噪聲晶體管的噪聲，對于雙極晶體管來說，*重要的是降低基極電阻和各種串聯(lián)電阻和接觸電阻，降低寄生電容，減薄基極面積，減少少數(shù)過境時間等等。對于場效應晶體管，源極串聯(lián)電阻、接觸電阻和柵極金屬化電阻應盡可能減小，柵極長度應盡可能減?。ㄒ堰_到亞微米級），以及應采用低溫制冷技術。
雙極晶體管和場效應晶體管的噪聲源并不相同，但它們隨頻率和工作電流的變化是相似的。盡量降低白噪聲并使用較小的工作電流，可以獲得*佳效果。
硅雙極晶體管的*高工作頻率只有8GHz，在這個頻率下噪聲非常高，沒有實用價值。一般僅在 2 GHz 以下使用，噪聲系數(shù)為 1 至 2 分貝。
GaAs FET 的工作頻率已達到 60 GHz。在 1 至 12 GHz 的工作頻率下，噪聲系數(shù)僅為 0.5 至 1.4 分貝。異質結高電子遷移率場效應晶體管 (HEMT) 具有更高的工作頻率和更低的噪聲。
雙極晶體管的噪聲源有：熱噪聲、散粒噪聲、分布噪聲和1/噪聲（也稱為閃爍噪聲）。場效應晶體管是多數(shù)載流子器件，所以沒有少數(shù)載流子引起的散粒噪聲和分布噪聲，但有肖特基柵極感應噪聲。
為了降低微波低噪聲晶體管的噪聲，對于雙極晶體管來說，*重要的是降低基極電阻和各種串聯(lián)電阻和接觸電阻，降低寄生電容，減薄基極面積，減少少數(shù)過境時間等等。對于場效應晶體管，源極串聯(lián)電阻、接觸電阻和柵極金屬化電阻應盡可能減小，柵極長度應盡可能減?。ㄒ堰_到亞微米級），以及應采用低溫制冷技術。
雙極晶體管和場效應晶體管的噪聲源并不相同，但它們隨頻率和工作電流的變化是相似的。盡量降低白噪聲并使用較小的工作電流，可以獲得*佳效果。
硅雙極晶體管的*高工作頻率只有8GHz，在這個頻率下噪聲非常高，沒有實用價值。一般僅在 2 GHz 以下使用，噪聲系數(shù)為 1 至 2 分貝。
GaAs FET 的工作頻率已達到 60 GHz。在 1 至 12 GHz 的工作頻率下，噪聲系數(shù)僅為 0.5 至 1.4 分貝。異質結高電子遷移率場效應晶體管 (HEMT) 具有更高的工作頻率和更低的噪聲。