PECS II精密刻蝕鍍膜儀

儀器簡介：

PECS II精密刻蝕鍍膜儀是一款桌面型寬束氬離子拋光及鍍膜設(shè)備。

對(duì)于同一個(gè)樣品，可在同一真空環(huán)境下完成拋光及鍍膜。

一款完全獨(dú)立、結(jié)構(gòu)緊湊的臺(tái)式設(shè) 備。采用兩個(gè)寬束氬離子源對(duì)樣品表面進(jìn)行拋光， 去除損傷層，從而得到高質(zhì)量樣品，用于在 SEM， 光鏡或者掃描探針顯微鏡上進(jìn)行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。

采用 WhisperLok®技術(shù)，可選 配溫控液氮冷卻臺(tái)。該功能有助于避免拋光過程 中產(chǎn)生的熱量而導(dǎo)致的樣品融化或者結(jié)構(gòu)變化。

PECS II精密刻蝕鍍膜儀內(nèi)置了一個(gè) 10 英寸的觸摸屏。不管新手還是專家級(jí)用戶，都可提高樣品的加工可控性 及可重復(fù)性。數(shù)碼變焦顯微鏡配合 DigitalMicrograph® 軟件，可實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品加工過程的實(shí)時(shí) 監(jiān)控及儲(chǔ)存彩色照片，這便于在SEM中進(jìn)行樣品檢查和分析。

性能優(yōu)點(diǎn)：

• WhisperLok 系統(tǒng)： 無需破壞主樣品室真空即可裝卸樣品。
• 低能聚焦潘寧離子槍：可加工對(duì)表面損傷敏感的樣品，包括 EBSD和 CL。
• 能量從0.1 – 8.0 keV可調(diào): 改進(jìn)低能拋光效果，減少非晶層；提供更高的能量，以提高拋光速度。
• 液氮樣品冷卻： 保護(hù)樣品，避免離子束熱損傷，去除可能的假象。
• 10 英寸觸摸屏控制：快速，簡便地訪問所有的控制參數(shù)；無需電腦。
• 數(shù)碼變焦顯微鏡： 實(shí)時(shí)監(jiān)控加工過程。
• DigitalMicrograph 軟件彩照存儲(chǔ)： 將存儲(chǔ)的光學(xué)圖像與其他分析系統(tǒng)的數(shù)據(jù)做關(guān)聯(lián)分析。
• 濺射沉積： 濺射靶材至樣品表面，防止樣品在 SEM/FIB 中發(fā)生荷電。

主要應(yīng)用：

• 半導(dǎo)體
• 金屬（氧化物，合金）
• 陶瓷
• 自然資源

技術(shù)規(guī)格：

訂貨編號(hào)：LR-200636

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