1、探測(cè)器
依分辨率高低檔次由低至高常用的探測(cè)器有NaI晶體閃爍計(jì)數(shù)器，充氣(He,Ne, Ar, Kr, Xe等)正比計(jì)數(shù)管器、HgI2晶體探測(cè)器、半導(dǎo)體致冷Si PIN探測(cè)器、高純硅晶體探測(cè)器、高純鍺晶體探測(cè)器、電致冷或液氮致冷Si(Li)鋰漂移硅晶體探測(cè)器、Ge(Li)鋰漂移鍺探測(cè)器等。
目前常用的是電致冷或液氮致冷Si(Li)鋰漂移硅晶體探測(cè)器、Si PIN探測(cè)器、高純硅晶體探測(cè)器。探測(cè)器的性能主要體現(xiàn)在對(duì)熒光探測(cè)的檢出限、分辨率、探測(cè)能量范圍的大小等方面。所以你要儀器的檢出限好你就要看它了。
低檔探測(cè)器有效檢測(cè)元素?cái)?shù)量少，對(duì)被測(cè)物質(zhì)中微量元素較難檢測(cè)，分辨率一般在700-1100eV，一般可分析材料基體中元素?cái)?shù)量較少，元素間相鄰較遠(yuǎn)，含量較高的單個(gè)元素。
中檔探測(cè)器有效檢測(cè)元素?cái)?shù)量稍多，對(duì)痕量元素較難檢測(cè)，分辨率一般在200-300eV，一般用于檢測(cè)的對(duì)象元素不是相鄰元素，元素相鄰較遠(yuǎn)(至少相隔1-2個(gè)元素以上)，基體內(nèi)各元素間影響較小。
**探測(cè)器可以同時(shí)對(duì)不同濃度所有元素(一般從Na至U)進(jìn)行檢測(cè)，分辨率一般在150-180eV。可同時(shí)測(cè)定元素周期表中Na-U范圍的任何元素。對(duì)痕量檢測(cè)可達(dá)幾個(gè)ppm量級(jí)。
Si PIN 探測(cè)器、高純硅晶體探測(cè)器的分辨率一般是200eV –270eV，電致冷或液氮致冷Si(Li)鋰漂移硅晶體探測(cè)器的分辨率為140eV–165eV.電制冷不需要消耗液氮，但他制冷工藝復(fù)雜，價(jià)格也*貴，靠消耗電來(lái)制冷，分辨率比液氮稍遜，但也完全符合rohs檢測(cè)的要求。液氮制冷需消耗液氮，使用起來(lái)不方便，但液氮的溫度很低，操作者必須注意**，但它的分辨率比電制冷稍好。這里我們還要看探測(cè)器的面積，探測(cè)器面積越大，效率越高。測(cè)試的時(shí)間就越短。市面上探測(cè)器面積有5—15mm2不等。很多XRF廠商都宣稱他們的儀器測(cè)試時(shí)間是3分鐘，是出一個(gè)可靠的數(shù)據(jù)3分鐘嗎，還是減少測(cè)試條件，具體指減少濾光片的轉(zhuǎn)換次數(shù)和livetime來(lái)達(dá)到減少測(cè)試時(shí)間。的確很多XRF的測(cè)試時(shí)間能達(dá)到3分鐘，但出的數(shù)據(jù)是很差的。只有極少數(shù)儀器能達(dá)到這個(gè)水平。測(cè)試時(shí)間對(duì)RoHS這個(gè)行業(yè)也是很重要的，因?yàn)楹芏鄰S家的需檢測(cè)的產(chǎn)品比較多，**可能有300多個(gè)，甚至更多。如果購(gòu)買了了一臺(tái)低效率的XRF，你可能要再買幾個(gè)才能滿足你的測(cè)試量。
2、 X光管
X光管是儀器的易損耗材。大多數(shù)XRF廠商奉行拿來(lái)主義，做的就是組裝貼個(gè)品牌的工作。其性能壽命和成本一般是5000小時(shí)合幾百美金。而**的X光管壽命一般在10年以上，成本當(dāng)然也高達(dá)10多萬(wàn)人民幣;SiLi電制冷的，壽命同樣會(huì)在10年以上，成本至少15萬(wàn)人民幣。
3、處理器
分為數(shù)字脈沖處理器和模擬脈沖處理器兩種，前者在數(shù)據(jù)處理處理上速度好。全數(shù)字脈沖處理快線路處理， 容許死時(shí)間高達(dá)60%。可采集大容量計(jì)數(shù)，可減少采集時(shí)間先進(jìn)的數(shù)字與傳統(tǒng)的模擬是兩代處理器技術(shù)，技術(shù)水平一般差十年。模擬脈沖處理器一般信號(hào)處理模式，死時(shí)間僅容許30%。不能進(jìn)行高通量信號(hào)處理，為獲得大的計(jì)數(shù)必須延長(zhǎng)采集時(shí)間。
4、濾光片
濾光片多，可以有選擇的降低信噪比，對(duì)痕量分析十分有用。
公安機(jī)關(guān)備案號(hào)：
