晶體管特性圖示儀它是一種能對晶體管的特性參數(shù)進(jìn)行測試的儀器。
1.“電壓(v)/度”旋鈕開關(guān)
此旋鈕開關(guān)是一個具有4種偏轉(zhuǎn)作用共17擋的旋鈕開關(guān)，用來選擇圖示儀x軸所代表的變量及其倍率。在測試小功率晶體管的輸出特性曲線時，該旋鈕置VCE的有關(guān)擋。測量輸入特性曲線時，該旋鈕置VBE的有關(guān)擋。
2.“電流/度”旋鈕開關(guān)
此旋鈕開關(guān)是一個具有4種偏轉(zhuǎn)作用共22擋的旋鈕開關(guān)，用來選擇圖示儀Y軸所代表的變量及其倍率。在測試小功率晶體管的輸出特性曲線時，該旋鈕置Ic的有關(guān)擋。測量輸入特性時，該旋鈕置“基極電流或基極源電壓”擋(儀器面板上畫有階梯波形的一擋)。
3.“峰值電壓范圍”開關(guān)和“峰值電壓%”旋鈕
“峰值電壓范圍’’是5個擋位的按鍵開關(guān)。“峰值電壓%”是連續(xù)可調(diào)的旋鈕。它們的共同作用是用來控制“集電極掃描電壓”的大小。不管“峰值電壓范圍”置于哪一擋，都必須在開始時將“峰值電壓%”置于0位，然后逐漸小心地增大到一定值。否則容易損壞被測管。一個管子測試完畢后，“峰值電壓%”旋鈕應(yīng)回調(diào)至零。
4.“功耗限制電阻”旋鈕
“功耗限制電阻”相當(dāng)于晶體管放大器中的集電極電阻，它串聯(lián)在被測晶體管的集電極與集電極掃描電壓源之間，用來調(diào)節(jié)流過晶體管的電流，從而限制被測管的功耗。測試功率管時，一般選該電阻值為1kΩ。
5.“基極階梯信號”旋鈕
此旋鈕給基極加上周期性變化的電流信號。每兩級階梯信號之間的差值大小由“階梯選擇毫安/級”來選擇。為方便起見，一般選10μA。每個周期中階梯信號的階梯數(shù)由“級族”來選擇，階梯信號每簇的級數(shù)，實際上就是在圖示儀上所能顯示的輸出特性曲線的根數(shù)。階梯信號每**的毫安值的大小，就反映了圖示儀上所顯示的輸出特性曲線的疏密程度。
6.“零電壓”、“零電流”開關(guān)
此開關(guān)是對被測晶體管基極狀態(tài)進(jìn)行設(shè)置的開關(guān)。當(dāng)測量管子的擊穿電壓和穿透電流時，都需要使被測管的基極處于開路狀態(tài)。這時可以將該開關(guān)設(shè)置在“零電流”擋(只有開路時，才能保證電流為零)。當(dāng)測量晶體管的擊穿電流時，需要使被測管的基、射極短路，這時可以通過將該開關(guān)設(shè)置在“零電壓”擋來實現(xiàn)。
一般參數(shù)簡介
熒光屏的刻度可以直接觀測半導(dǎo)體管的共集電極，共基板和共發(fā)射極的輸入特性，輸出特征，轉(zhuǎn)換特征，β參數(shù)以及α參數(shù)等，并可根據(jù)需要，測量半導(dǎo)體管的其他各項極限特性與擊穿特性參數(shù)，如反向飽和電流Icbo,Iceo和各種擊穿電壓BVceo、BVcbo、BVebo等。
可以從示波管的熒光屏上自動顯示同一只半導(dǎo)體管的四種h參數(shù)，也可以同時進(jìn)行二只半導(dǎo)體管的四種h參數(shù)自動比較或任選的兩種h參數(shù)自動比較。
Y軸
集電極電流范圍：1μA-200mA/div，按1、2、5順序分17檔，誤差≤±3%
漏電流范圍:10nA-500nA/div,按1、2、5順序分6檔，誤差≤±10%
基極源電壓：0.01V-1V/div，按1、2、5順序分7檔，誤差≤±3%
X軸
集電極電壓范圍：0.01V-50V/div，按1、2、5順序分12檔，誤差≤±3%
基極電流或基極源電壓：0.1V/div ，誤差≤±3%
階梯信號
階梯電流范圍：0.1μA/級-20mA/級，按1、2、5順序分17檔，誤差≤±5%
階梯電壓范圍：0.01V/級-1V/級，按1、2、5順序分7檔，誤差≤±5%
階梯極性：正、負(fù)兩檔,由測試盒NPN,PNP轉(zhuǎn)換開關(guān)實現(xiàn)
串聯(lián)電阻：0-300KΩ,按1,3順序分為11檔,誤差≤±5%
每秒級數(shù)：200
階梯輸入：正常、零電壓、零電流三檔
集電極掃描信號
峰值電壓及電流容量：0-50V 2A(峰值) 0-500V0.2A(峰值)
功耗限制電阻：0-500KΩ,按1、2、5順序分19檔，誤差≤±5%
校準(zhǔn)電壓：可進(jìn)行—10div校準(zhǔn)，分—0.1V、—0.2V、—0.5V、—1V四檔
電源：220V±10% 50Hz±5%
功率消耗：約45VA(*大時約92VA)
預(yù)熱時間：15min
公安機關(guān)備案號：
