儀器儀表技術(shù)名詞專集
半導體粒子射線探測器semiconductor particle detector
用于檢出高能粒子( α 射線、β 射線),強度的半導體敏感元件。它通常做成PN結(jié)、表面勢壘、PIN結(jié)等結(jié)構(gòu)形式，使入射的粒子射線轉(zhuǎn)換成電荷脈沖進行檢測。
半導體放射線檢測器semiconductor radiation detector
用于檢出放射線粒子數(shù)量(即放射線強度)的半導體射線敏感元件。它通常由半導體材料(Si、Ge)制成PIN結(jié)構(gòu)形式，可將放射線( γ 射線、X 射線等)粒子轉(zhuǎn)換成電荷脈沖進行檢測。
射線敏感元件radiation sensor;radiation-electric signal transducer
對放射線( X 射線、γ 射線)、粒子射線( α 射線、β 射線)等信息或能量具有響應和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件。
防雷用電壓敏電阻器arrester varistor
用于吸收大氣過電壓的壓敏電阻器。
消磁電壓敏電阻器anti-magnetized varistor
用來消除勵磁電路中因被切斷而儲存的能量的壓敏電阻器。
消噪電壓敏電阻器noise suppressing varistor
用來消除電噪聲的電壓敏電阻器。
消弧電壓敏電阻器arc suppressing varistor
用來消除各種型式的繼電器火花、開關電弧的電壓敏電阻器。
高頻電壓敏電阻器high frequency varistor
在載波機等較高頻率的電子設備中作為過電壓吸收的壓敏電阻器。
高能電壓敏電阻器high energy varistor
單位體積內(nèi)吸收能量大的電壓敏電阻器。
過電壓保護電壓敏電阻器over voltage protection varistor
用于抑制過電壓的電壓敏電阻器。
穩(wěn)壓電壓敏電阻器stabilized voltage varistor
利用非線性特性對電子線路輸出電壓起穩(wěn)定作用的電壓敏電阻器。
膜式電壓敏電阻器film varistor
由薄膜構(gòu)成電阻體的電壓敏電阻器。
單顆粒層電壓敏電阻器single grain layer varistor
將碳化硅、硅等半導體顆粒單層排列在一個平面內(nèi)且彼此絕緣，每個顆粒的上下兩面都與電極相接觸而構(gòu)成的電壓敏電阻器。
結(jié)型氧化鋅電壓敏電阻器junction type zinc oxide varistor
由氧化鋅電阻體與金屬電極之間的非歐姆接觸而形成非線性特性的電壓敏電阻器。
體型氧化鋅電壓敏電阻器bulk zinc oxide varistor
兩電極與電阻體之間呈歐姆接觸，由電阻體內(nèi)大量氧化鋅顆粒之間的界面層形成非線性特性的電壓敏電阻器。
氧化鋅電壓敏電阻器zinc oxide varistor
電阻材料以氧化鋅為主，添加適當?shù)钠渌饘傺趸锊⒂靡话闾沾晒に囍瞥傻碾妷好綦娮杵鳌?br />
碳化硅電壓敏電阻器silicon carbride varistor
電阻體材料以碳化硅為主，用一般陶瓷工藝制成的電壓敏電阻器。
電壓敏電阻器varistor;voltage-dependent resitotr
在正常條件下，當電壓超過某一臨界值時，電流隨電壓升高而急劇增加的半導體非線性電阻器。
電阻式濕敏元件resistive moisture sensor
電阻值隨相對濕度變化而改變的濕敏元件。
電容式濕敏元件capacitive moisture sensor
電容量隨相對濕度變化而改變的濕敏元件。
濕敏元件moisture sensor
對環(huán)境濕度(水蒸氣)具有響應和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件?？捎肎e、Se、氧化物半導體等材料制成。
復合氧化物系氣敏元件compound oxide series gas sensor
以稀土和過渡金屬復合氧化物為基體材料制成的氣敏元件。
SnO\-2系氣敏元件tin oxide series gas sensor
以SnO\-2為基體材料加入適量摻雜劑制成的氣敏元件。
燒結(jié)式氣敏元件sintered gas sensor
將一定配比的氣敏材料、摻雜劑和粘合劑，經(jīng)混合、研磨制成漿料，然后滴入模具(事先已放好Pt絲)或涂在電極上自然干燥或壓模成型，在一定溫度下燒結(jié)而成的氣敏元件。
薄膜式氣敏元件thin film gas sensor
利用蒸發(fā)或濺射法在絕緣基片上淀積氣敏性氧化物薄膜而制成的氣敏元件。
硅單晶氣敏元件silicon crystal gas sensor
利用光刻和化學腐蝕技術(shù)在硅單晶基片上制成的氣敏元件。它具有微型化和集成化的特點。
P型氧化物氣敏元件P-type oxide gas sensor
由P型氧化物材料(NiO、CoO、Cr\-2O\-3等)制成的氣敏元件。P型氣敏元件吸附氧化性氣體時，其電阻值下降；而吸附還原性氣體時，其電阻值增高。
N型氧化物氣敏元件N-type oxide gas sensor
由N型氧化物材料(ZnO、SnO\-TiO\-2等)制成的氣敏元件。N型氧化物氣敏元件吸附還原性氣體時，其電阻值下降；而吸附氧化性氣體時，其電阻值增高。
氣敏元件gas sensor
對環(huán)境氣體具有響應和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件。氣敏元件大多由非化學配比的金屬氧化物材料制成，其電阻值隨表面吸附氣體的種類和吸附量而發(fā)生相應變化。用于有毒氣體、可燃氣體及其他氣體的報警、檢漏、定量檢測等。
光電磁敏元件photoelectro magnetic(PEM) element
利用半導體的光電磁敏效應制成的檢測紅外線和熱輻射的敏感元件?？捎糜诒O(jiān)控鐵路車輪或制動器的發(fā)熱狀況。*小探測功率為10\+\{-9\}～10\+\{-10\}瓦。
注：光電磁敏效應是指，當光生載流子在半導體(Insb)內(nèi)因擴散而流動時，在外加磁場形成的霍爾效應作用下可在電極間產(chǎn)生電動勢的效應。
磁敏晶體管magnetic transistor
具有晶體管結(jié)構(gòu)的電流型磁電轉(zhuǎn)換器件。其靈敏度是磁敏二極管的幾倍至十幾倍。
磁敏二極管magnatic diode
其電阻值隨磁場方向與大小有顯著變化的二極管。
磁敏電阻器magnetic resistor
半導體的電阻值隨外加磁場強度平方成正比例變化的電阻器。與霍爾元件相比，可檢測較強的磁場強度(大于1千高斯)，可用作無觸點可變電阻器。
霍爾集成電路Hall integrated circuit
將霍爾元件和放大器等元件制作在同一塊半導體基片上的集成電路。
霍爾調(diào)制器Hall modulator
為信號調(diào)制目的而特殊設計的霍爾元件。
霍爾探頭Hall probe
為測量磁場強度而特殊設計的霍爾元件。
霍爾乘法器Hall multiplier
利用霍爾元件的輸出電壓VH與外加磁場強度H和控制電流I乘積成正比的關系而構(gòu)成的乘法器。可用作信號調(diào)制器。
霍爾元件Hall element
又稱霍爾效應器件(Hall effet device)利用半導體霍爾效應制成的磁敏元件。主要用于磁場強度的測量和磁滯信號的接收等。
注：在半導體或金屬制成的長方體內(nèi)，如果在X方向上通以電流、在Z方向上施加磁場強度Hz，那么在垂直于兩者的Y方向上則產(chǎn)生電動勢，這種現(xiàn)象稱作霍爾效應。
磁敏元件magneto sensor
對外界磁場強度變化具有響應和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件。包括霍爾元件、磁敏電阻器、磁敏二極管、磁敏晶體管等。
ZnO系氣敏元件zinc oxide series gas sensor
以ZnO為基體材料加入適量摻雜劑制成的氣敏元件。
光集成電路optical integrated circuit
用于檢出高能粒子( α 射線、β 射線),強度的半導體敏感元件。它通常做成PN結(jié)、表面勢壘、PIN結(jié)等結(jié)構(gòu)形式，使入射的粒子射線轉(zhuǎn)換成電荷脈沖進行檢測。
半導體放射線檢測器semiconductor radiation detector
用于檢出放射線粒子數(shù)量(即放射線強度)的半導體射線敏感元件。它通常由半導體材料(Si、Ge)制成PIN結(jié)構(gòu)形式，可將放射線( γ 射線、X 射線等)粒子轉(zhuǎn)換成電荷脈沖進行檢測。
射線敏感元件radiation sensor;radiation-electric signal transducer
對放射線( X 射線、γ 射線)、粒子射線( α 射線、β 射線)等信息或能量具有響應和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件。
防雷用電壓敏電阻器arrester varistor
用于吸收大氣過電壓的壓敏電阻器。
消磁電壓敏電阻器anti-magnetized varistor
用來消除勵磁電路中因被切斷而儲存的能量的壓敏電阻器。
消噪電壓敏電阻器noise suppressing varistor
用來消除電噪聲的電壓敏電阻器。
消弧電壓敏電阻器arc suppressing varistor
用來消除各種型式的繼電器火花、開關電弧的電壓敏電阻器。
高頻電壓敏電阻器high frequency varistor
在載波機等較高頻率的電子設備中作為過電壓吸收的壓敏電阻器。
高能電壓敏電阻器high energy varistor
單位體積內(nèi)吸收能量大的電壓敏電阻器。
過電壓保護電壓敏電阻器over voltage protection varistor
用于抑制過電壓的電壓敏電阻器。
穩(wěn)壓電壓敏電阻器stabilized voltage varistor
利用非線性特性對電子線路輸出電壓起穩(wěn)定作用的電壓敏電阻器。
膜式電壓敏電阻器film varistor
由薄膜構(gòu)成電阻體的電壓敏電阻器。
單顆粒層電壓敏電阻器single grain layer varistor
將碳化硅、硅等半導體顆粒單層排列在一個平面內(nèi)且彼此絕緣，每個顆粒的上下兩面都與電極相接觸而構(gòu)成的電壓敏電阻器。
結(jié)型氧化鋅電壓敏電阻器junction type zinc oxide varistor
由氧化鋅電阻體與金屬電極之間的非歐姆接觸而形成非線性特性的電壓敏電阻器。
體型氧化鋅電壓敏電阻器bulk zinc oxide varistor
兩電極與電阻體之間呈歐姆接觸，由電阻體內(nèi)大量氧化鋅顆粒之間的界面層形成非線性特性的電壓敏電阻器。
氧化鋅電壓敏電阻器zinc oxide varistor
電阻材料以氧化鋅為主，添加適當?shù)钠渌饘傺趸锊⒂靡话闾沾晒に囍瞥傻碾妷好綦娮杵鳌?br />
碳化硅電壓敏電阻器silicon carbride varistor
電阻體材料以碳化硅為主，用一般陶瓷工藝制成的電壓敏電阻器。
電壓敏電阻器varistor;voltage-dependent resitotr
在正常條件下，當電壓超過某一臨界值時，電流隨電壓升高而急劇增加的半導體非線性電阻器。
電阻式濕敏元件resistive moisture sensor
電阻值隨相對濕度變化而改變的濕敏元件。
電容式濕敏元件capacitive moisture sensor
電容量隨相對濕度變化而改變的濕敏元件。
濕敏元件moisture sensor
對環(huán)境濕度(水蒸氣)具有響應和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件?？捎肎e、Se、氧化物半導體等材料制成。
復合氧化物系氣敏元件compound oxide series gas sensor
以稀土和過渡金屬復合氧化物為基體材料制成的氣敏元件。
SnO\-2系氣敏元件tin oxide series gas sensor
以SnO\-2為基體材料加入適量摻雜劑制成的氣敏元件。
燒結(jié)式氣敏元件sintered gas sensor
將一定配比的氣敏材料、摻雜劑和粘合劑，經(jīng)混合、研磨制成漿料，然后滴入模具(事先已放好Pt絲)或涂在電極上自然干燥或壓模成型，在一定溫度下燒結(jié)而成的氣敏元件。
薄膜式氣敏元件thin film gas sensor
利用蒸發(fā)或濺射法在絕緣基片上淀積氣敏性氧化物薄膜而制成的氣敏元件。
硅單晶氣敏元件silicon crystal gas sensor
利用光刻和化學腐蝕技術(shù)在硅單晶基片上制成的氣敏元件。它具有微型化和集成化的特點。
P型氧化物氣敏元件P-type oxide gas sensor
由P型氧化物材料(NiO、CoO、Cr\-2O\-3等)制成的氣敏元件。P型氣敏元件吸附氧化性氣體時，其電阻值下降；而吸附還原性氣體時，其電阻值增高。
N型氧化物氣敏元件N-type oxide gas sensor
由N型氧化物材料(ZnO、SnO\-TiO\-2等)制成的氣敏元件。N型氧化物氣敏元件吸附還原性氣體時，其電阻值下降；而吸附氧化性氣體時，其電阻值增高。
氣敏元件gas sensor
對環(huán)境氣體具有響應和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件。氣敏元件大多由非化學配比的金屬氧化物材料制成，其電阻值隨表面吸附氣體的種類和吸附量而發(fā)生相應變化。用于有毒氣體、可燃氣體及其他氣體的報警、檢漏、定量檢測等。
光電磁敏元件photoelectro magnetic(PEM) element
利用半導體的光電磁敏效應制成的檢測紅外線和熱輻射的敏感元件?？捎糜诒O(jiān)控鐵路車輪或制動器的發(fā)熱狀況。*小探測功率為10\+\{-9\}～10\+\{-10\}瓦。
注：光電磁敏效應是指，當光生載流子在半導體(Insb)內(nèi)因擴散而流動時，在外加磁場形成的霍爾效應作用下可在電極間產(chǎn)生電動勢的效應。
磁敏晶體管magnetic transistor
具有晶體管結(jié)構(gòu)的電流型磁電轉(zhuǎn)換器件。其靈敏度是磁敏二極管的幾倍至十幾倍。
磁敏二極管magnatic diode
其電阻值隨磁場方向與大小有顯著變化的二極管。
磁敏電阻器magnetic resistor
半導體的電阻值隨外加磁場強度平方成正比例變化的電阻器。與霍爾元件相比，可檢測較強的磁場強度(大于1千高斯)，可用作無觸點可變電阻器。
霍爾集成電路Hall integrated circuit
將霍爾元件和放大器等元件制作在同一塊半導體基片上的集成電路。
霍爾調(diào)制器Hall modulator
為信號調(diào)制目的而特殊設計的霍爾元件。
霍爾探頭Hall probe
為測量磁場強度而特殊設計的霍爾元件。
霍爾乘法器Hall multiplier
利用霍爾元件的輸出電壓VH與外加磁場強度H和控制電流I乘積成正比的關系而構(gòu)成的乘法器。可用作信號調(diào)制器。
霍爾元件Hall element
又稱霍爾效應器件(Hall effet device)利用半導體霍爾效應制成的磁敏元件。主要用于磁場強度的測量和磁滯信號的接收等。
注：在半導體或金屬制成的長方體內(nèi)，如果在X方向上通以電流、在Z方向上施加磁場強度Hz，那么在垂直于兩者的Y方向上則產(chǎn)生電動勢，這種現(xiàn)象稱作霍爾效應。
磁敏元件magneto sensor
對外界磁場強度變化具有響應和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件。包括霍爾元件、磁敏電阻器、磁敏二極管、磁敏晶體管等。
ZnO系氣敏元件zinc oxide series gas sensor
以ZnO為基體材料加入適量摻雜劑制成的氣敏元件。
光集成電路optical integrated circuit
公安機關備案號：
